（2016•新课标Ⅲ）【化学-选修3：物质结构与性质】砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等．回答下...

题型：综合题题类：真题难易度：困难

2016年高考理综真题试卷（化学部分）（新课标Ⅲ卷）

【化学-选修3：物质结构与性质】砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等．回答下列问题：

（1）、写出基态As原子的核外电子排布式．

（2）、根据元素周期律，原子半径GaAs，第一电离能GaAs．（填“大于”或“小于”）

（3）、AsCl₃分子的立体构型为，其中As的杂化轨道类型为．

（4）、GaF₃的熔点高于1000℃，GaCl₃的熔点为77.9℃，其原因是．

（5）、

GaAs的熔点为1238℃，密度为ρ g•cm^﹣³ ，其晶胞结构如图所示．

该晶体的类型为，Ga与As以键键合．Ga和As的摩尔质量分别为M_Ga g•mol^﹣¹和M_Asg•mol^﹣¹ ，原子半径分别为r_Ga pm和r_As pm，阿伏加德罗常数值为N_A ，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为．

举一反三

倍半硅氧烷在液晶显示、塑料阻燃、生物医用等领域具有重要应用，氢基倍半硅氧烷的分子结构如图A所示，其加热分解产物中SiO₂的晶胞结构如图B所示，回答下列问题：

A． $\text{[math]}$ B． $\text{[math]}$ C． $\text{[math]}$

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