砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等．回答下列问题：
（2）、根据元素周期律，原子半径GaAs，第一电离能GaAs．（填“大于”或“小于”）
（3）、AsCl3分子的立体构型为，其中As的杂化轨道类型为．
（4）、GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是．
（5）、GaAs的熔点为1238℃，密度为ρ g•cm
﹣3 ， 其晶胞结构如图所示．该晶体的类型为
，Ga与As以
键键合．Ga和As的摩尔质量分别为M
Ga g•mol
﹣1和M
As g•mol
﹣1 ， 原子半径分别为r
Ga pm和r
As pm，阿伏加德罗常数值为N
A ， 则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为
．
