第三代半导体材料氮化镓（GaN）适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常称为高温半导体材料。回答下列问题：
（1）、基态Ga原子价层电子的轨道表达式为，第一电离能介于N和B之间的第二周期元素有种。
（2）、HCN分子中σ键与π键的数目之比为，其中σ键的对称方式为。与CN—互为等电子体的分子为。
（3）、NaN3是汽车安全气囊中的主要化学成分，其中阴离子中心原子的杂化轨道类型为。NF3的空间构型为。
（4）、GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如下表所示，分析其变化原因
。
|
|
GaN
|
GaP
|
GaAs
|
|
熔点
|
1700℃
|
1480℃
|
1238℃
|
（5）、GaN晶胞结构如下图所示：晶胞中Ga原子采用六方最密堆积方式，每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为
；
