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题型:综合题 题类:模拟题 难易度:普通

四川省南充市2019届高三下学期理综物理第三次高考适应性考试试卷

集成电路(芯片)是一种把电路小型化的方式,并制造在半导体晶圆表面上,芯片的基础工作在于半导体的工艺,其中包括在晶圆中注入离子,生成P、N类半导体.如图所示,在离子注入工艺口,初速度可忽略的磷离子P+和P3+ , 经电压为U的电场加速后,垂直进入方向垂直纸面向里、宽度为d的匀强磁场区域,其中离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出.已知P+和P3+的质量均为m,电荷量分别为e和3e(e表示元电荷)

(1)、求匀强磁场的磁感应强度B的大小:(用题给符号表示)
(2)、求P3+在磁场中转过的角度Φ。
举一反三
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