砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。回答下列问题：

题型：综合题题类：模拟题难易度：普通

黑龙江省齐齐哈尔市2017-2018学年高考理综-化学三模考试试卷

（1）、Ga基态原子核外电子排布式为，As基态原子核外有个未成对电子。

（2）、Ga、As、Se的第一电离能由大到小的顺序是，Ga、As、Se 的电负性由大到小的顺序是。

（3）、比较下列镓的卤化物的熔点和佛点，分析其变化规律及原因：。

GaF₃的熔点超过1000 ℃，可能的原因是。

（4）、二水合草酸镓的结构如图1所示，其中镓原子的配位数为，草酸根中碳原子的杂化轨道类型为。

（5）、砷化镓的立方晶胞结构如图2所示，晶胞参数为a=0.565nm，砷化镓晶体的密度为g/ cm³(设N_A为阿伏加德罗常数的值，列出计算式即可)。

举一反三

①A的周期序数等于其主族序数；

②B、D原子的L层中都有两个未成对电子；

③E元素原子最外层电子排布式为（n+1）Sⁿ（n+1）Pⁿ^﹣¹；

④F原子有四个能层，K、L、M全充满，最外层只有一个电子．

试回答下列问题：

硒化锌是一种半导体材料，回答下列问题

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