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题型:综合题 题类:模拟题 难易度:普通

吉林省实验中学2017-2018学年高考理综-化学一模考试试卷

砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)、写出基态As原子的核外电子排布式
(2)、根据元素周期律,原子半径GaAs,第一电离能GaAs。(填“大于”或“小于”)
(3)、AsCl3分子的立体构型为,其中As的杂化轨道类型为
(4)、GaF3的熔点高于1 000 ℃,GaCl3的熔点为77.9 ℃,其原因是


(5)、GaAs的熔点为1 238 ℃,密度为ρ g·cm-3 , 其晶胞结构如图所示。

该晶体的类型为,Ga与As以键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1MAs g·mol-1 , 原子半径分别为rGa pm和rAs pm,阿伏加德罗常数值为NA , 则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为

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