砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：

题型：综合题题类：模拟题难易度：普通

吉林省实验中学2017-2018学年高考理综-化学一模考试试卷

（1）、写出基态As原子的核外电子排布式。

（2）、根据元素周期律，原子半径GaAs，第一电离能GaAs。(填“大于”或“小于”)

（3）、AsCl₃分子的立体构型为，其中As的杂化轨道类型为。

（4）、GaF₃的熔点高于1 000 ℃，GaCl₃的熔点为77.9 ℃，其原因是。

（5）、GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm^－3 ，其晶胞结构如图所示。

该晶体的类型为，Ga与As以键键合。Ga和As的摩尔质量分别为M_Ga g·mol^－1和M_As g·mol^－1 ，原子半径分别为r_Ga pm和r_As pm，阿伏加德罗常数值为N_A ，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为。

举一反三

某化合物由阳离子[（CH₃）₄ N]⁺和阴离子A按个数比4：1组成，阴离子A的结构如图所示：

（1）S原子以　 {#blank#}1{#/blank#}　杂化轨道与Ge结合．

（2）阴离子A的化学式为 {#blank#}2{#/blank#}

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