注册

题型：多选题题类：常考题难易度：困难

山东省德州市2019-2020学年高二下学期化学期末考试试卷

高温下，某金属氧化物的晶体结构如图所示。其中氧的化合价可看作部分为0价、部分为-2价。下列有关说法中正确的是（）

A、元素A可能位于元素周期表第IA族 B、该离子晶体的化学式是A₂O₂ C、晶体中A⁺等距且最近的A⁺有12个 D、晶体中，0价氧原子与-2价氧原子的数目比为1：1

举一反三

已知Ni_XO晶体晶胞结构为NaCl型（如图），

由于晶体缺陷，x值小于1．测知Ni_XO晶体x=0.88，晶胞边长为4.28×10^﹣¹⁰m 求：（已知： $\text{[math]}$ =1.4）

短周期元素a、b、c、d的原子序数依次增大，c和d位于同主族且原子序数相差8；基态a原子核外有3个能级上容纳电子且每个能级上电子数相等，c原子s能级电子总数与p能级电子数相等，基态e原子的M层上有2个未成对电子且无空轨道．

氮化硼（BN）晶体有多种相结构．六方相氮化硼是通常存在的稳定相，与石墨相似，只有层状结构，可作高温润滑剂．立方相氮化硼是超硬材料，有优异的耐磨性．它们的晶体结构如图所示．

A、B、C、D、E代表原子序数依次增大的前四周期元素，其中A和C为同一主族，C常用于制作半导体器件和集成电路，B的简单氢化物的水溶液呈碱性，E元素的正三价离子的3d亚层为半充满，D被称为“未来金属”，其重量轻、强度高、耐腐蚀，其在周期表中位于第4周期、第ⅣB族。

铜在我国有色金属材料的消费中仅次于铝，广泛地应用于电气、机械制造、国防等领域。回答下列问题：

第三代半导体材料氮化镓（GaN）适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常称为高温半导体材料。回答下列问题：

返回首页

相关试卷

试题篮

公司介绍

Company Introduction

服务介绍

Service Introduction

帮助中心

Help center

二一教育APP

二一教育APP

400-637-9991

周一至周五 8:30-17:30

在线咨询客服