注册

题型：综合题题类：常考题难易度：普通

天津市南开区2018-2019学年高二下学期化学期末考试试卷

砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：

（1）、写出基态As 原子的核外电子排布式。

（2）、根据元素周期律，原子半径 GaAs（填“>”或“<”，下同），第一电离能 GaAs。

（3）、AsCl₃ 分子的立体构型为。

（4）、锗（Ge）是典型的半导体元素，比较下表中锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因。

	GeCl₄	GeBr₄	GeI₄
熔点/℃	−49.5	26	146
沸点/℃	83.1	186	约 400

举一反三

已知X、Y为第三周期非金属元素（稀有气体除外），且电负性X＞Y，下列说法错误的是（　　）

若_aAⁿ⁺与 _bB²^﹣两种离子的核外电子层结构相同，则a等于（）

下列说法中正确的是（）

①外围电子构型为nsⁿnpⁿ的原子形成的化合物的种类最多

②在硫酸铜溶液中加入过量氨水最后生成深蓝色溶液

③H₂O是一种非常稳定的化合物，这是由于H₂O分子间存在氢键所致

④P₄、BF₃、CH₃Cl三种分子中所有原子的最外层均满足8e^﹣稳定结构

⑤乙醇分子中只含σ键．

下列各基态原子或离子的电子排布式错误的是（）

我国科学家借助自主研制的新型钨钴合金催化剂攻克了单壁碳纳米管结构的可控制备难题。

返回首页

相关试卷

试题篮

公司介绍

Company Introduction

服务介绍

Service Introduction

帮助中心

Help center

二一教育APP

二一教育APP

400-637-9991

周一至周五 8:30-17:30

在线咨询客服