（2016•新课标Ⅲ）【化学-选修3：物质结构与性质】砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等．回答下...

题型：综合题题类：真题难易度：困难

2016年高考理综真题试卷（化学部分）（新课标Ⅲ卷）

【化学-选修3：物质结构与性质】砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等．回答下列问题：

（1）、写出基态As原子的核外电子排布式．

（2）、根据元素周期律，原子半径GaAs，第一电离能GaAs．（填“大于”或“小于”）

（3）、AsCl₃分子的立体构型为，其中As的杂化轨道类型为．

（4）、GaF₃的熔点高于1000℃，GaCl₃的熔点为77.9℃，其原因是．

（5）、

GaAs的熔点为1238℃，密度为ρ g•cm^﹣³ ，其晶胞结构如图所示．

该晶体的类型为，Ga与As以键键合．Ga和As的摩尔质量分别为M_Ga g•mol^﹣¹和M_Asg•mol^﹣¹ ，原子半径分别为r_Ga pm和r_As pm，阿伏加德罗常数值为N_A ，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为．

举一反三

（1）在与石墨结构相似的六方氮化硼晶体中，最小环上有个　 {#blank#}1{#/blank#}　B原子，N原子的杂化方式为　 {#blank#}2{#/blank#}　．

（2）六方氮化硼在高温高压下，可以转化为立方氮化硼，其结构与金刚石相似，硬度与金刚石相当，B原子的杂化方式为　 {#blank#}3{#/blank#}　．

（3）MgO与NaCl的晶胞同为面心立方结构．每个O²^﹣周围最近的Mg²⁺有　 {#blank#}4{#/blank#}　个，已知MgO晶体密度为a g•cm^﹣³ ， $\text{[math]}$ 表示阿伏加德罗常数，则MgO晶胞体积为　 {#blank#}5{#/blank#}　cm³ ．

请问答下列问题：

请回答下列问题：

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