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题型:填空题 题类:常考题 难易度:普通

Ⅱ.砷化镓为第三代半导体材料,

(1)砷化镓可由(CH33Ga和AsH3在700℃下反应制得,反应的化学方程式为  .  

(2)比较二者的第一电离能:As Ga(填“<”、“>”或“=”);

(3)AsH3空间构型为 

已知(CH33Ga为非极性分子,则其中镓原子的杂化方式是   

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