砷化稼（GaAs）是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：

题型：实验探究题题类：常考题难易度：普通

河南省郑州市第一中学2017-2018学年高三上学期化学开学考试试卷

砷化稼（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：

（1）、基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]。

（2）、根据元素周期律，元素的电负性Ga（填“大于”或“小于”，下同）As，第一电离能B Ga；BF₃和NH₃的分子能够通过配位键相结合的原因是。

（3）、杀虫剂Na₃AsO₄中阴离子的空问构型为，As原子采取杂化。

（4）、组成相似的GaF₃和GaCl₃晶体，前者属于离子晶体，后者属于分子晶体。从F^-和Cl^-结构的不同分析其原因是。

（5）、原子晶体GaAs的晶胞参数a=xpm，它的晶胞结构如下图所示。该晶胞内部存在的共价健数为；A原子距离B原子所在六面体的侧面的最短距离为（用x表示）pm ；该晶胞的密度为g·cm^-3。（阿伏加德罗常数用N_A表示）。

举一反三

某原料经测定主要含有A、B、C、D、E五种原子序数依次增大的前四周期元素，其相关信息如下：

元素	元素性质或原子结构
A	周期表中原子半径最小的元素
B	原子核外有三种不同的能级且各个能级所填充的电子数相同
C	最外层p轨道半充满
D	位于短周期，其原子的核外成对电子数是未成对电子数的3倍
E	位于ds区且原子的最外层电子数与A的相同

请回答下列问题(用A、B、C、D、E所对应的元素符号作答)：

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