试题

试题 试卷

logo

题型:综合题 题类:常考题 难易度:普通

河北省邢台市2017-2018学年高三上学期理综-化学期末考试试卷

镓与ⅤA族元素形成的化合物是重要的半导体材料,应用最广泛的是砷化镓(GaAs)。回答下列问题:
(1)、基态Ga原子的核外电子排布式为,基态As原子核外有个未成对电子。
(2)、镓失去电子的逐级电离能(单位:kJ·mol-1)的数值依次为577、1985、2962、6192,由此可推知镓的主要化合价为和+3。砷的电负性比镓(填“大”或“小”)。
(3)、比较下列镓的卤化物的熔点和沸点,分析其变化规律及原因:

镓的卤化物

GaCl3

GaBr3

GaI3

熔点/℃

77.75

122.3

211.5

沸点/℃

201.2

279

346

GaF3的熔点超过1000℃,可能的原因是

(4)、二水合草酸镓的结构如图所示,其中镓原子的配位数为,草酸根中碳原子的杂化方式为

(5)、砷化镓熔点为1238℃,立方晶胞结构如图所示,晶胞参数为a=565pm,该晶体的类型为,晶体的密度为(设NA 为阿伏加德罗常数的数值,列出算式即可)g·cm-3

返回首页

试题篮