镓与ⅤA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)。回答下列问题：

题型：综合题题类：常考题难易度：普通

河北省邢台市2017-2018学年高三上学期理综-化学期末考试试卷

（1）、基态Ga原子的核外电子排布式为，基态As原子核外有个未成对电子。

（2）、镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol^-1)的数值依次为577、1985、2962、6192，由此可推知镓的主要化合价为和+3。砷的电负性比镓(填“大”或“小”)。

（3）、比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：。

GaF₃的熔点超过1000℃，可能的原因是。

（4）、二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为，草酸根中碳原子的杂化方式为。

（5）、砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565pm，该晶体的类型为，晶体的密度为(设N_A 为阿伏加德罗常数的数值，列出算式即可)g·cm^-3。

举一反三

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