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题型:综合题 题类: 难易度:普通

广东省广州市白云区2024-2025学年八年级上学期期末考试物理试题

 如图,光刻技术是利用缩图透镜将绘在掩膜上的电路图通过光源投射到涂有光刻胶的硅片上,掩膜上的电路图恰好在硅片上成清晰缩小的像,在硅片上成像越小芯片制程越小。

(1)、光源发出的紫外线(选填“能”或“不能”)被 一箱图透镜人眼直接观察到。
(2)、掩膜位于缩图透镜的 (选填“二倍焦距以外”、“一倍焦距以内”或“一倍到两倍焦距之间”)
(3)、这次我国芯片制程直接从90nm 突破到了 22nm, 如果缩图透镜不动,电路图大小不变,则要将掩膜向 透镜方向移动(选填"靠近”或“远离”),要将硅片向透镜方向移动(选填“靠近”或“远离”),
举一反三
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