在芯片制造过程中,离子注入是其中一道重要的工应。为了准确的注入离子,需要在一个空间中用电场、磁场对离子的运动轨迹进行调控。图所示便是一种调控粒子轨迹的模型。如图所示,在
平面(纸面)内,
空间存在方向垂直纸面向里的匀强磁场,第三象限空间存在方向沿
轴正方向的匀强电场。一质量为
、电荷量为
的带正电粒子(不计重力),以大小为
、方向与
轴垂直的速度沿纸面从坐标为
的
点进入电场中,然后从坐标为
的
点进入磁场区域,再次垂直经过
轴之后,最后从
轴正半轴上的
点(图中未画出)射出磁场。求:
(1)电场强度的大小;
(2)磁场的磁感应强度大小;
(3)粒子从点运动到点所用的时间