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题型:综合题 题类:模拟题 难易度:普通

广东省深圳市2021届高三下学期物理第一次调研考试试卷

物理气相沉积镀膜是芯片制作的关键环节之一,如图是该设备的平面结构简图。初速度不计的氩离子经电压U0的电场加速后,从A点水平向右进入竖直向下的匀强电场E,恰好打到电场、磁场的竖直分界线I最下方M点(未进入磁场)并被位于该处的金属靶材全部吸收,AM两点的水平距离为0.5m。靶材溅射出的部分金属离子沿各个方向进入两匀强磁场区域,并沉积在固定基底上。基底与水平方向夹角为45°,大小相等、方向相反(均垂直纸面)的两磁场B的分界线II过M点且与基底垂直。(已知:U0= ×103V,E= ×104V/m,B=1×10-2T,氩离子比荷 ,金属离子比荷 ,两种离子均带正电,忽略重力及离子间相互作用力。)

(1)、求氩离子进入电场的速度v0 , 以及AM两点的高度差
(2)、若金属离子进入磁场的速度大小均为1.0×104m/s,M点到基底的距离为 m,求在纸面内,基底上可被金属离子打中而镀膜的区域长度。
举一反三
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