- 二一组卷

题型：综合题题类：常考题难易度：普通

上海市闵行区2018-2019学年高三上学期化学期末考试试卷

晶体硅是良好的半导体材料，多晶硅主要采用SiHCl₃还原工艺生产。

（1）、硅原子核外有种能量不同的电子。氯离子的核外电子排布式为。短周期主族元素中，氯元素及与其相邻元素的原子半径从大到小的顺序是。

（2）、从原子结构角度解释硅元素与氯元素的非金属性强弱。

（3）、900℃以上发生SiHCl₃(g)+H₂(g) $\text{[math]}$ Si(s)+3HCl(g)反应，平衡时H₂的百分含量随温度、压强(P)变化如图(K为不同条件时得平衡常数)。从化学反应速率角度来说明上述反应已达到平衡状态。

（4）、若反应容器的容积为2L，10min后达到平衡，测得固体的质量增加了2.8g，则HCl的平均反应速率为。

（5）、P₁P₂(选填“>”、“<”或“=”)；K₁、K₂、K₃大小关系式为。

举一反三

a．粗硅的制取：SiO₂（石英砂）+2C（焦炭） $\text{[math]}$ Si（粗硅）+2CO↑

b．用粗硅与氯气在高温条件下反应合成四氯化硅： Si（粗）+2Cl₂ $\text{[math]}$ SiCl₄

c．用氢气在高温条件下还原四氯化硅获得高纯硅：SiCl₄+2H₂ $\text{[math]}$ Si（纯）+4HCl

①高温 ②低温 ③高压 ④低压 ⑤加催化剂 ⑥分离出Z

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