试题 试卷
题型：单选题 题类：常考题 难易度：普通
用图所示的电路探究半导体的导电性能，电路中电源电压不变，R是一只光敏电阻，当光照射强度增大时，其电阻会减小，闭合开关，减小光敏电阻的照射强度，电压表和电流表示数的变化情况是 ( )
巨磁电阻效应
1988年阿尔贝•费尔和彼得•格林贝格尔发现，在铁、铬相间的三层复合膜电阻中，微弱的磁场可以导致电阻大小的急剧变化，这种现象被命名为“巨磁电阻效应”.
更多的实验发现，并非任意两种不同种金属相间的三层膜都具有“巨磁电阻效应”. 组成三层膜的两种金属中，有一种是铁、钴、镍这三种容易被磁化的金属中的一种，另一种是不易被磁化的其他金属，才可能产生“巨磁电阻效应”.
进一步研究表明，“巨磁电阻效应”只发生在膜层的厚度为特定值时 . 用R0表示未加磁场时的电阻，R表示加入磁场后的电阻，科学家测得铁、铬组成的复合膜R与R0之比与膜层厚度d（三层膜厚度均相同）的关系如乙图所示 .
1994年IBM公司根据“巨磁电阻效应”原理，研制出“新型读出磁头”，将磁场对复合膜阻值的影响转换成电流的变化来读取信息 .
导体代号
长度/m
横截面积/mm2
材料
①
1.0
0.4
锰铜
②
0.6
③
1.5
④
镍铬合金
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