锗是一种重要的半导体材料。工业上用精硫锗矿（主要成分为GeS2，杂质不反应）制取Ge，其工艺流程如图所示：回答下列问题：

题型：综合题题类：模拟题难易度：普通

山东省威海市2017-2018学年高考理综-化学模拟考试试卷

锗是一种重要的半导体材料。工业上用精硫锗矿（主要成分为GeS₂ ，杂质不反应）制取Ge，其工艺流程如图所示：

回答下列问题：

（1）、开始将精硫锗矿粉碎的目的是。

（2）、高温焙烧精硫锗矿的化学方程式为。

（3）、热还原真空挥发炉内反应的化学方程式为。

（4）、在沉锗过程中，当温度为90℃，pH为14时，加料量（CaCl₂/Ge质量比）对沉锗的影响如表所示，选择最佳加料量为（填“10-15”“15-20”或“20-25”），理由是。

（5）、某温度时，沉锗得到的CaGeO₃在水中的沉淀溶解平衡曲线如图所示。下列说法错误的是。

a．n点与p点对应的K_sp相等

b.通过蒸发可以使溶液由q点变到p点

c.q点无CaGeO₃沉淀生成

d.加入Na₂GeO₃可以使溶液由n点变到m点

（6）、CaGeO₃与强酸反应可得到H₂GeO₃。0.1mol•L^－1的NaHGeO₃溶液pH（填“＞”“=”或“＜”）7，判断理由是（通过计算比较）。（25℃时，H₂GeO₃的K_a1=1.7×10^－9 ， K_a2=1.9×10^－13。）

举一反三

实验用含有杂质（FeO、Fe₂O₃）的废CuO制备胆矾晶体经历下列过程，Fe³⁺在pH=5时已完全沉淀，其分析错误的是（　　）

（Ⅰ）晶体的制备原理及流程：

CuSO₄+4NH₃+H₂O═[Cu（NH₃）₄]SO₄）•H₂O

回答下列问题：

Ⅰ．实验室制取CH₃Cl的原理是CH₃OH+HCl（浓） $\text{[math]}$ CH₃Cl+H₂O．具体步骤如下：

①干燥ZnCl₂晶体；

②称取24g研细的无水ZnCl₂和量取20mL浓盐酸放入圆底烧瓶，同时量取一定量的甲醇放入分液漏斗中；

③将分液漏斗里的甲醇逐滴滴入烧瓶中并加热，待ZnCl₂完全溶解后有CH₃Cl气体逸出，可用排水法收集．请回答：

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