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题型:填空题 题类: 难易度:普通

深圳市南山区10校联考2024年第二次模拟考试物理试题

2023年2月哈工大宣布突破EUV光刻机关键技术,光刻技术是利用缩图透镜将绘在掩膜上的电路图通过光源投到涂有光刻胶的硅片上,在硅片上成像越小芯片制程越小。

(1)由原理图可知,掩膜在硅片上成(填完整像的性质)像,缩图透镜的焦点在硅片的(选填“上方”或“下方”);

(2)这次我国直接从90nm突破到了22nm制程的芯片,如果缩图透镜相同,则要将掩膜向(选填“上方”或“下方”)移动。

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