试题 试卷
题型:综合题 题类:常考题 难易度:普通
原子核外电子排布c
图1是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序,其中c、d均是热和电的良导体
①图中d单质的晶体堆积方式类型是 {#blank#}1{#/blank#}.
②图2是上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构,请简要说明该物质易溶于水的原因: {#blank#}2{#/blank#}
选项
实验事实
理论解释
A
氧化性:HClO>HClO4
HClO4分子中非羟基氧原子数目较多
B
沸点:SiO2>CO2
相对分子质量越大沸点越高
C
密度:干冰>冰
干冰晶体属于分子密堆积
D
分解温度:MgO>NaCl
MgO晶格能大于NaCl
①1s22s22p63s23p4;②1s22s22p63s23p3;③1s22s22p3;④1s22s22p5.则下列有关比较中正确的是( )
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