在如图所示的逻辑电路中，门电路“1”为非门，门电路“&”为与门。当A端输入电信号“1”、B端输入电信号“0”时，则在D和C端输出的电信号分别为{#blank#}1{#/blank#}；{#blank#}2{#/blank#} 。（提示：A、D为门电路“&”的输入端）

C•S史密斯在1954年对硅和锗的电阻率与应力变化特性测试中发现，当受到应力作用时电阻率发生变化．这种由于外力的作用而使材料电阻率发生变化的现象称为“压阻效应”．压阻效应被用来制成各种压力、应力、应变、速度、加速度传感器，把力学量转换成电信号，半导体压阻传感器已经广泛地应用于航空、化工、航海、动力和医疗等部门．某兴趣小组在研究某长薄板电阻R_x的压阻效应时，找到了如图所示器材（已知R_x的阻值变化范围大约为几欧到几十欧）：

A．电源E（3V，内阻约为1Ω）

B．电流表A₁（0.6A，内阻r₁=5Ω）

C．电流表A₂（0.6A，内阻r₂约为1Ω）

D．开关S，定值电阻R₀

A．电池组（3V，内阻10Ω）；

B．电流表（0～3A，内阻0.0125Ω）；

C．电流表（0～0.6A，内阻0.125Ω）；

D．电压表（0～3V，内阻3kΩ）；

E．电压表（0～15V，内阻15kΩ，）；

F．滑动变阻器（0～50Ω，额定电流1A）；

G．滑动变阻器（0～5000Ω，额定电流0.3A）；

H．开关、导线

现有一特殊电池，它的电动势E约为9V，内阻r约为40Ω，已知该电池允许输出的最大电流为50mA．为了测定这个电池的电动势和内阻，某同学利用如图甲所示的电路进行实验，图中电流表的内阻R_A已经测出，阻值为5Ω，R为电阻箱，阻值范围0～999.9Ω，R₀为定值电阻，对电路起保护作用．