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  • 题型:综合题 题类:常考题 难易度:普通

    试题来源:安微省黄山市2018-2019学年高考理综-化学二模考试试卷

    第三代半导体材料氮化家(GaN)适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,通常称为高温半导体材料。回答下列问题:
    (1)基态Ga原子价层电子的轨道表达式为1,第一电离能介于N和B之间的第二周期元素有2种。
    【答案】
    (2)HCN分子中ο键与π键的数目之比为1,其中ο键的对称方式为2。与CN-互为等电子体的分子为3
    【答案】
    (3)NaN3的是汽车安全气囊中的主要化学成分,其中阴离子中心原子的杂化轨道类型为1。NF3的空间构型为2
    【答案】
    (4)GaN、Gap、GaAs都是很好的半导体材料,品体类型与品体硅类似,熔点如下表所示,分析其变化原因1

    GaN

    GaP

    GaAs

    熔点

    1700℃

    1480℃

    1238℃

    【答案】
    (5)Ga晶胞结构如下图所示。已知六核柱底边边长为acm,阿伏加德罗常数的值NA

    ①品胞中Ga原子采用六方最密堆积方式,每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为1

    ②GaN的密度为2g·cm-3(用a、NA表示)。

    【答案】
    【考点】
    【解析】
      

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