- 二一组卷

题型：综合题题类：常考题难易度：普通

安微省黄山市2018-2019学年高考理综-化学二模考试试卷

第三代半导体材料氮化家（GaN）适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常称为高温半导体材料。回答下列问题：

（1）、基态Ga原子价层电子的轨道表达式为，第一电离能介于N和B之间的第二周期元素有种。

（2）、HCN分子中ο键与π键的数目之比为，其中ο键的对称方式为。与CN^-互为等电子体的分子为。

（3）、NaN₃的是汽车安全气囊中的主要化学成分，其中阴离子中心原子的杂化轨道类型为。NF₃的空间构型为。

（4）、GaN、Gap、GaAs都是很好的半导体材料，品体类型与品体硅类似，熔点如下表所示，分析其变化原因。

	GaN	GaP	GaAs
熔点	1700℃	1480℃	1238℃

（5）、Ga晶胞结构如下图所示。已知六核柱底边边长为acm，阿伏加德罗常数的值N_A。

①品胞中Ga原子采用六方最密堆积方式，每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为：

②GaN的密度为g·cm^-3（用a、N_A表示）。

举一反三

P₄(g)＋10Cl₂(g)=4PCl₅(g)　ΔH＝b kJ·mol^－1 ，

P₄具有正四面体结构，PCl₅中P—Cl键的键能为c kJ·mol^－1 ， PCl₃中P—Cl键的键能为1.2c kJ·mol^－1。下列叙述正确的是(　　)

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